3DNANDFlash原理

2021年4月14日—本文介紹的立體堆疊技術的快閃記憶體FanFET3D-NANDFlash具有高容量密度、製程模組化、開發成本低的特點，並且使用DUV黃光機台即可完成奈米級的創新 ...,NAND型的結構中，同一條字元線串聯起許多儲存單元，稱為1「頁」（page），多條字...3D先進封裝是什麼？又有哪些優勢和挑戰？數位攝影搖身一變黑 ...,2020年6月30日—本文將描述一創新的扇型電晶體(FantypeFieldEffectTransistor，FanFET)，應用於3D-NANDFlash...

參考資訊如下
簡介扇型場效電晶體(FanFET) 於3D

2021年4月14日 — 本文介紹的立體堆疊技術的快閃記憶體FanFET 3D-NAND Flash具有高容量密度、製程模組化、開發成本低的特點，並且使用DUV 黃光機台即可完成奈米級的創新 ...

快閃記憶體的原理：我們常用的USB 記憶體與記憶卡

NAND 型的結構中，同一條字元線串聯起許多儲存單元，稱為1「頁」（page），多條字 ... 3D 先進封裝是什麼？又有哪些優勢和挑戰？ 數位攝影搖身一變黑 ...

應用於3D

2020年6月30日 — 本文將描述一創新的扇型電晶體(Fan type Field Effect Transistor，FanFET)，應用於3D-NAND Flash快閃記憶體的技術、評比與亮點，及延伸於數位邏輯的簡單 ...

NAND Flash記憶體的技術演進(2D到4D)

2023年1月18日 — 所以NAND Flash廠商在2014年開始從研發3D NAND Flash的技術，直至2017年下半年Cross-over 整體的市占由3D NAND Flash 超越了2D NAND Flash出貨量。

NAND Flash 原理深度解析（上）

2023年9月5日 — 三、NAND Flash 2D to 3D. 闪存的技术从2D演变到了3D。2D NAND主流技术是Floating Gate（FG) , 通过减小特征尺（(e.g. 20nm到16nm) 提高存储密度；3D NAND ...

NAND flash原理

2021年2月25日 — NAND flash原理 · Flash的內部儲存是金屬-氧化層-半導體-場效電晶體(MOSFET)，裡面有個懸浮門(Floating Gate)，是真正儲存資料的單元 · 2.對於NAND Flash的 ...

快閃記憶體

3D Nand基本原理

上篇先写到这里，下篇将会介绍NAND 与NOR flash的区别，NAND中SLC，MLC，TLC颗粒的区别，我对存储器发展的看法以及参考文献与资料。 如有什么问题，欢迎在评论区交流，文章 ...